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超支化聚碳硅烷的光固化研究

供稿人:陳銳光、連芩 供稿單位:機械制造系統(tǒng)工程國家重點實驗室  發(fā)布日期:2019-03-25

液態(tài)超支化聚碳硅烷(LHBPCS)是近來年備受關注的一種SiC陶瓷前驅體,它支化度高,分子鏈纏繞少,粘度低、流動性好;可交聯(lián)活性基團密度大,可自交聯(lián)、固化速度快;具有高度分枝結構,收縮率小、陶瓷產(chǎn)率高,還具有熱解產(chǎn)物接近SiC化學計量比的優(yōu)點。

中國科學院寧波材料技術與工程研究所開展了一項LHBPCS研究,其研究有兩個特點:1. LHBPCS內(nèi)不含不飽和官能團,取而代之,加入二乙烯基二甲基硅烷單體;2. 不使用傳統(tǒng)熱交聯(lián)或催化交聯(lián),改用UV交聯(lián)。此工作研究了影響陶瓷產(chǎn)率和SiC陶瓷性能的因素,包括紫外光照射時間,交聯(lián)單體比以及耐高溫氧化性能。該材料的實驗室制造方法如下:配置不同比例的LHBPCS與二乙烯基二甲基硅烷的混合物,在室溫下通過UV燈(波長365nm)交聯(lián),照射時間分別為0,1,2,3,5,15,20,25和30分鐘。然后,將UV固化的樣品置于氧化鋁舟皿中,置于電阻管式爐中進行熱解。 在氬氣環(huán)境中,溫度以10℃/ min的速率,從室溫升高到1000℃,在此溫度下熱解2小時。

圖1. 不同紫外輻照時間LHBPCS 的陶瓷產(chǎn)率曲線圖

如圖1所示,隨著紫外輻照時間的延長,陶瓷產(chǎn)率呈現(xiàn)增長趨勢。0~15min之間陶瓷產(chǎn)率迅速增加,15~30min之間增速明顯放緩,最終在30min達到71.8%,意味著在一定范圍內(nèi),紫外線照射時間的延長,使陶瓷產(chǎn)率顯著增加。LHBPCS/二乙烯基二甲基硅烷共混體系與純LHBPCS趨勢相同。

圖2. 陶瓷產(chǎn)率隨交聯(lián)單體配比變化曲線圖

圖2顯示,隨著交聯(lián)單體配比的增加,LHBPCS陶瓷產(chǎn)率先增長后減少,在5 wt%處達到最高陶瓷產(chǎn)率79.8 wt%,意味著過量的二乙烯基二甲基硅烷不能貢獻更高的陶瓷產(chǎn)率,其最佳配比為5 wt%。合適的配比能促進LHBPCS的交聯(lián),減少小分子高溫裂解時的分解逸出,進而提高LHBPCS陶瓷產(chǎn)率。

圖3.不同熱處理溫度SiC 陶瓷的SEM電鏡圖(空氣中) (a: 1000 ℃; b: 1200 ℃; c: 1400 ℃; d: 1600 ℃ )

圖3顯示,1400℃ 以下,SiC 陶瓷隨溫度升高表面不產(chǎn)生變化,但1600℃ 以下,出現(xiàn)明顯孔洞及裂紋。這是由于不穩(wěn)定相及Si-C4結構與O2發(fā)生氧化反應生成的SiO2 保護層,在低于1400℃環(huán)境下,不會被破壞,阻礙了O2的侵蝕;當熱處理溫度升至1600℃,SiO2 保護層被破壞,之前形成的SiO2層開始剝落,形成大量裂紋,O2繼續(xù)侵蝕,導致陶瓷表面出現(xiàn)孔洞;同時不穩(wěn)定相SiCxOy的分解產(chǎn)生大量SiO、CO氣體,氣孔及表面裂紋進一步產(chǎn)生??偠灾?,LHBPCS基SiC陶瓷在1400 oC 空氣氛圍條件下表現(xiàn)出優(yōu)異的抗氧化性能。

參考文獻:

  1. Zhong X , Pei X , Miao Y , et al. Accelerating the crosslinking process of hyperbranched polycarbosilane by UV irradiation[J]. Journal of the European Ceramic Society, 2017, 37(10):3263-3270.
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