供稿人:孟佳麗 連芩 供稿單位：機(jī)械制造系統(tǒng)工程國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室 發(fā)布日期：2020-09-28
2020年1月西安交通大學(xué)Suocheng Song及其研究團(tuán)隊(duì)研究了使用選擇性激光燒結(jié)法(selective laser sintering，簡(jiǎn)稱(chēng)SLS)制備SiC/Si制造工藝與性能優(yōu)化的方法，分析了環(huán)氧樹(shù)脂對(duì)SiC / Si復(fù)合材料性能和微觀結(jié)構(gòu)的影響。在此基礎(chǔ)上，采用反應(yīng)性較低的石墨作為緩釋碳源，避免毛細(xì)管通道堵塞，提高性能。測(cè)試了不同溫度點(diǎn)的彎曲強(qiáng)度，與文獻(xiàn)中室溫下的最佳抗彎強(qiáng)度相比，抗彎強(qiáng)度的峰值增加了55％。
SiC / Si零件的制造流程如圖1所示，通過(guò)“材料混合——切層——打印——脫脂——反應(yīng)”最終得到SiC / Si零件。使用的原料為SiC、石墨和環(huán)氧樹(shù)脂均，漿料均勻混合，根據(jù)CAD模型打印出零件素坯。對(duì)素坯進(jìn)行熱重分析制定出合適的脫脂燒結(jié)工藝曲線。該研究通過(guò)制定兩步燒結(jié)法，將脫脂和反應(yīng)工藝同時(shí)完成，在低溫度段，環(huán)氧樹(shù)脂熱解素坯形成SiC / C多孔結(jié)構(gòu)；在高溫度段，Si熔化，通過(guò)毛細(xì)力進(jìn)入多孔SiC / C坯體，與C進(jìn)行反應(yīng)，最終形成致密的SiC / Si零件，滲硅示意圖見(jiàn)圖2所示。
圖1 工藝流程圖
圖2 滲硅示意圖
對(duì)環(huán)氧樹(shù)脂，石墨的直徑和最終燒結(jié)溫度對(duì)最終形成的SiC / Si零件的機(jī)械強(qiáng)度的影響分析發(fā)現(xiàn)，當(dāng)環(huán)氧樹(shù)脂含量為5wt%，10wt%和15wt%時(shí)，SiC / C坯體的孔隙率會(huì)隨之減小，最終形成的SiC / Si零件三點(diǎn)彎曲強(qiáng)度也環(huán)氧樹(shù)脂含量成反比。在對(duì)比粒徑為25μm和10μm的石墨影響，發(fā)現(xiàn)當(dāng)石墨的粒徑為10μm時(shí)，孔隙率降低并且碳密度穩(wěn)定地增加。這種趨勢(shì)有助于提高SiC / Si復(fù)合材料的機(jī)械性能。因此，小尺寸的球形石墨可以有效地填充預(yù)成型坯中的孔并提高碳密度。對(duì)燒結(jié)溫度和石墨含量的研究發(fā)現(xiàn)，1300℃，20wt%的石墨添加會(huì)達(dá)到最高的彎曲強(qiáng)度。