供稿人：王正 王玲 供稿單位：西安交通大學機械制造系統(tǒng)工程國家重點實驗室 發(fā)布日期：2023-05-04
隨著高超音速飛機和空間探測技術的發(fā)展，尖端航空航天應用的一些熱端組件需要在非常惡劣的環(huán)境中具有出色的電磁波吸收能力。大多數(shù)吸波材料致力于在室溫下實現(xiàn)更寬的有效吸收帶寬，更低的反射系數(shù)，更低的密度和更小的厚度。然而，很少有工作來研究這些吸波材料在高溫下的吸波能力或介電常數(shù)，特別是在氧氣存在的情況下。因此，挑戰(zhàn)仍然存在于如何設計初即使在高溫和氧化環(huán)境中也能保持出色吸波性能的吸波材料。
為了研究上述問題，西北工業(yè)大學Xinyuan Lv等開發(fā)了一種獨特的“帶天線球面”分層結構的SiC納米線/SiC晶須泡沫具有高效的高溫電磁吸波性能。在結構中，一維（1D）SiC組裝成三維 （3D） 多孔SiC球體，見圖1。既增強了泡沫的強度，又構建了導電網絡，促進了電磁吸波能力。此外，球內和球間大量的孔會降低輕質的密度。
圖1 SiC納米線/SiC晶須泡沫的制備工藝圖
SiC納米線徑向分布在球體上可以充當“微天線”來接收電磁波，見圖2結構。其次，電子將被困在球體和SiC網絡以實現(xiàn)多次反射，直到耗盡。泡沫中豐富的連接接口可以誘導偶極極化以衰減電磁波。接口使自由電荷在界面處積聚和振蕩，在交變電磁場下形成電偶極矩，從而增強界面極化。特別的是，如果SiC泡沫被氧化，SiC的異質界面可以增強多個接口極化以消耗電子。
圖2 “帶天線球面”分層結構的電磁吸波機制示意圖
SiC納米線/SiC晶須泡沫的介電常數(shù)ε值隨著溫度從100°C上升到600°C，從3.8增加到6.7，而SiC晶須泡沫的介電常數(shù)ε值從 0.8 略微增加到 1.2（圖 3（a）（b））。可證明SiC納米線有效連接到SiC晶須球體，形成一個完整的 3D 導電網絡。此外，介電常數(shù)的增加意味著偶極矩對溫度升高的交變電磁場的反應更快，表明弛豫時間的減少。
兩種泡沫的吸波損失能力也隨溫度不同程度增強。SiC納米線/SiC晶須泡沫的正切損耗tanδ值從 0.46 增加到 0.61，而SiC晶須泡沫相應的從 0.17 到 0.2圖 3（c）。圖3（d）和（e）顯示了兩種泡沫在不同溫度（100–600 °C）下的最佳厚度下的反射損耗（RC）和有效吸波帶寬（RC<-10dB的吸波頻帶）。如圖3（d）所示，有效吸波帶寬在100°C時可以達到4.1 GHz（從8.3 GHz到12.4 GHz），而其有效吸波帶寬和反射損耗兩者都隨著溫度的升高而降低，這主要是由于介電常數(shù)的上升導致。
圖3 SiC納米線/SiC晶須泡沫和SiC晶須泡沫的高溫吸波性能（a）ε'（b）ε“和（c）tanδ（d） 碳化硅的RC和EAB。（e） 碳化硅的RCw不同溫度下的泡沫。